在光电二极管（光伏型光电探测器）中，光照在PN结上，而不是仅照到N型硅上。当光子能量大于半导体材料的禁带宽度时，P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴。电子-空穴对在PN结内迅速扩散，并在结电场的作用下形成光生电动势，即PN结的光生伏特效应。这个过程中，N型硅作为PN结的一部分，也参与了光生电子-空穴对的生成过程，但光照是作用在整个PN结上的。

因此，可以明确地说，在光电二极管等半导体光电器件中，光是照到PN结上的，而不是仅照到N型硅上。如需了解更多关于PN结的工作原理和应用，建议查阅相关物理学或电子工程学的专业书籍或资料。